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高可靠性P-LDMOS研究

孙智林;孙伟锋;易扬波;陆生礼

  分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响 ,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度 .模拟结果显示 ,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场 ,从而缓解沟道热载流子效应 ,提高 P- L DMOS的可靠性 .……   
[关键词]:LDMOS;沟道;峰值电场;热载流子效应
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体学报2004年12期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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