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在薄硅外延片上制备高频肖特基势垒二极管

张海燕;叶志镇;黄靖云;李蓓;谢靓红;赵炳辉

  采用超高真空化学气相沉积技术 ,在 n型重掺 Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层 ,利用扩展电阻和原子力显微分析对外延层进行了检验 .结果表明 ,重掺 Si衬底与薄硅外延层之间的界面过渡区陡峭 ,外延层厚度在亚微米级 ,掺杂浓度为 10 1 7cm- 3.在此外延片上制备了高频肖特基二极管的原型器件 ,与传统的硅基肖特基二极管相比截止频率有了大幅提高……   
[关键词]:肖特基势垒;二极管;硅外延层;截止频率
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体学报2003年06期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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