手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
手机知网|搜索

氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量理论计算

范志新;孙以材;陈玖琳

  以铝掺杂氧化锌 (Al- doped Zn O,简称 AZO)和锡掺杂氧化铟 (Sn- doped In2 O3,简称 ITO)薄膜为例 ,建立了一个氧化物半导体透明导电薄膜的最佳掺杂含量的理论表达式 ,定量计算的结果 AZO陶瓷靶材中铝含量的理论最佳值为 C≈ 2 .9894% (wt) ,ITO陶瓷靶材中锡含量的理论最佳值为 C≈ 10 .3114% (wt) ,与实验数据相符合 .该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题……   
[关键词]:氧化物半导体;透明导电薄膜;最佳掺杂含量
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体学报2001年11期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)