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深亚微米MOS器件的热载流子效应

刘红侠;郝跃;孙志

  对深亚微米器件中热载流子效应 (HCE)进行了研究 .还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系 .在分析热载流子失效机理的基础上 ,讨论了热载流子效应对电路性能的影响 .提出影响晶体管热载流子效应的因素有 :晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率及晶体管在电路中的位置 .通过对这些失效因素的研究并通过一定的再设计手段 ,可以减少热载流子效应导致的器件退化 .……   
[关键词]:深亚微米;MOS器件;热载流子效应;可靠性
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体学报2001年06期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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