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微波低噪声SiGe HBT的研制

钱伟;张进书;贾宏勇;林惠旺;钱佩信

  利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益为 9d B,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景……   
[关键词]:HBT;SiGe;微波;低噪声
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体学报2000年05期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)