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用正偏电容测量研究SBD的界面态

陈弘毅

  本文描述使用以阻抗测量仪为中心的正偏电容测量系统提取金属-半导体接触界面态参数的方法.该方法用来分析了分子束外延 CoSi_2层与N型Si接触和TiW 合金层与N型GaAs接触的界面态.……   
[关键词]:界面态密度;势垒高度;淀积速率;SBD;电容测量
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体学报1992年01期