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采用离子注入方法调整和控制氢离子敏场效应管(pH-ISFET)阈值电压

汪正孝

  本文首先分析了影响pH-ISFET阈值电压的几个因素.随后给出了在不同的离子注入参数下SOS型MISFET的阈值电压(V_T)_M及对应的参比电极-溶液-pH-ISFET的阈值电压(V_T)_R和△V_T=(V_T)_R-(V_T)_M的实测值曲线.最后对结果进行了讨论.……   
[关键词]:pH-ISFET;MISFET;SOS材料;阈值电压V_T;离子注入
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体学报1989年01期
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