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窄禁带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结的电容-电压特性曲线

林和;汤定元

  改进了电容测量技术,能测量低阻抗P-N结的电容.测量Hg_(1-x)Cd_xTe(0.195<x<0.28)P-N结的电容-电压曲线,发现了用通常的扩散电容及势垒电容无法解释的现象:C-V曲线有峰值及“负”电容的出现.与间接隧道电容理论相比较,可以认为反常现象是由于电子在深能级杂质与带之间的隧道过程所引起的.……   
[关键词]:窄禁带半导体;Hg_(t-x)Cd_xTe;p-n结;电容-电压特性曲线
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体学报1988年01期