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基于腔面非注入技术的大功率半导体激光器

张世祖;杨红伟;花吉珍;陈宏泰;陈玉娟;家秀云;徐会武;沈牧

  采用腔面电流非注入技术,提高了808nm半导体激光器灾变性光学损伤(COD)阈值。通过腐蚀GaAs高掺杂层的方法,在半导体激光器腔面附近形成电流非注入区,以此来减少腔面处的载流子注入。载流子注入水平的降低,减少了腔面处非辐射复合的发生,因而提高了激光器的灾变性光学损伤阈值。应用电流非注入技术制作的器件的最大输出功率达到3.7W;而应用常规工艺制作的器件的最大输出功率为3.1W。同常规工艺相比,采用该技术使器件的最大输出功率提高了近20%。……   
[关键词]:电流非注入区;808nm半导体激光器;灾变性光学损伤;非辐射复合
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《微纳电子技术2009年05期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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