手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
手机知网|搜索

非对称量子阱与系统的本征值和本征函数

但伟;邵明珠

  利用薄膜生长技术,通过控制材料的厚度来调整阱宽,控制组分来调整阱深,得到了不同光电特性的超晶格半导体材料。为克服 方形 势阱过于简单和理想的缺点,引入非对称相互作用势来描述组分超晶格量子阱。在量子力学框架内,把电子的Schrodinger方程转化为超几何方程,用系统参数和超几何函数严格地求解了电子的本征值和本征函数,并以Ga1-xAlxAs-GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带内跃迁。结果表明,阱内的能级数目和跃迁能量与系统参数有关,适当调节参数可得到不同光电性能的超晶格量子阱。……   
[关键词]:超晶格;量子阱(QW);超几何方程;单粒子能级;本征值;本征函数
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《微纳电子技术2008年05期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)