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锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率

杨建广;唐谟堂;唐朝波;杨声海;张保平

  归纳总结了锑掺杂二氧化锡(ATO)的导电机理。晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理。从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限。掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49%(质量百分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.217×104(Ω·cm)-1,氧空位对ATO电导率的贡献为0.1506×104(Ω·cm)-1。……   
[关键词]:锑掺杂二氧化锡;电导率;导电机理
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《微纳电子技术2004年04期