GaN的低压MOCVD生长模型

　　用停滞边界层理论分析了低压 MOCVD外延 Ga N的生长模型。通过优化反应室结构和工艺条件 ,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的 Ga N外延层……

[关键词]：GaN;低压MOCVD;停滞边界层理论;流场;温场
[文献类型]：期刊
[文献出处]：《半导体情报2001年06期》
[格式]：PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)

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