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GaN的低压MOCVD生长模型

杨红伟;闫发旺;章麒麟

  用停滞边界层理论分析了低压 MOCVD外延 Ga N的生长模型。通过优化反应室结构和工艺条件 ,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的 Ga N外延层……   
[关键词]:GaN;低压MOCVD;停滞边界层理论;流场;温场
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体情报2001年06期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)