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一种高精度CMOS带隙基准电压源设计

沈菊;宋志棠;刘波;封松林;朱加兵

  介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路。该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18μm CMOS工艺。Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10~120℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0~3.6 V内,电源抑制比为69 dB。该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路。……   
[关键词]:带隙;电压源;温度系数;电源抑制比;互补金属氧化物半导体
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体技术2007年09期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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