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CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点

宁彦卿;王志华;陈弘毅

  在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年来在理论认识,低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力。……   
[关键词]:互补金属氧化物半导体;电感电容压控振荡器;交叉耦合;低电压;宽频带
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体技术2007年01期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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