手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
手机知网|搜索

纳米级富氮SiO_xN_y薄膜的电子注入损伤研究

张昊;陈蒲生;田小峰;冯文修;刘小阳

  研究了在30V的直流偏压下,对PECVD工艺制备的SiOxNy薄膜进行电子注入,并结合俄歇谱和红外光谱对实验结果进行了讨论。结果表明,薄膜内有较多的受主陷阱,平带电压漂移在小电流下有显著变化;该方法对薄膜界面造成的损伤较小,禁带中的界面态密度变化不明显……   
[关键词]:界面陷阱;雪崩;介质膜;热电子注入
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体技术2000年01期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)