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CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究

严剑飞;吴志明;太惠玲;李娴;肖战菲;朱涛;熊丽霞;罗振飞

  以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中时,其载流子的浓度和体电导率逐渐增大,迁移率几乎不受影响;相同栅极电压下器件达到饱和状态所需的源漏电压增大,线性区向饱和区推进;阈值电压减小,在栅极电压为0时,界面处逐渐形成导电沟道,器件从增强型向耗尽型转变。……   
[关键词]:CuPc;有机薄膜晶体管;迁移率;体电导率;阈值电压
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体光电2011年02期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)