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不同沟道宽长比有机薄膜晶体管性能的研究

严剑飞;吴志明;太惠玲;李娴;付嵩琦

  以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件。通过对这三种器件的电学特性进行对比,分析了不同沟道宽长比对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比对器件的迁移率影响很小,阈值电压随着宽长比的增大而减小,漏电流随沟道宽长比的增大而增大;当源漏极间电压在一定范围内时,开态电流也随沟道宽长比的增大而增大。……   
[关键词]:沟道宽长比;有机薄膜晶体管;迁移率;阈值电压
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《半导体光电2011年01期
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