大功率量子阱远结半导体激光器

　　通过将下波导层掺杂为p型 ,使半导体激光器的有源区与pn结分离 ,制作了大功率远结半导体激光器。该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋势。理论分析表明 ,远结半导体激光器特殊的外延结构 ,决定了器件的阈值比正常器件的高 ,但是阈值受温度的影响较小 ,并且器件的退化机制转变为pn结的退化 ,这对于制作高可靠性、长寿命、低温度敏感性的半导体激光器具有重要意义。……