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基质掺杂对CdSiO_3∶Sm~(3+)体系红色长余辉发光材料的影响

陈海英;王明文;刘世香;陈学娟

  采用传统的高温固相反应合成了基质掺杂的Cd(RE1Si)O3:Sm3(+RE=Al,Ga,V,Mo,Zr,Ti,W)长余辉发光材料。用荧光光谱仪研究了对CdSiO3:Sm3+体系进行不同离子的掺杂所得样品的光谱性质。对离子掺杂影响产物性能的研究表明,掺杂离子电荷是主要的影响因素,具有较高电荷的Mo、W的掺杂对产物的余辉时间具有明显的增强作用,其余辉时间分别达到453s和924s。……   
[关键词]:硅酸镉;基质掺杂;长余辉
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《安徽化工2008年05期