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衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究

吴桂芳;宋学平;刘勇;林伟;孙兆奇

  薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃。实验表明:衬底温度在50~200℃之间时,铜膜平均应力变化较小,为-3.920×108Pa,应力差变化也较小。……   
[关键词]:基片温度;微结构;溅射铜膜;应力;光学相位移法
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《安徽大学学报(自然科学版)2004年03期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)
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