手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
手机知网|搜索

常压射频冷等离子体系统及其在光刻胶去除技术中的应用

李海江

  光刻胶去除技术在微电子工业中占有非常重要的地位,约占集成电路制造工艺的30-35%,去胶的好坏直接影响产品的成品率及器件和电路的制造成本。常压射频冷等离子体去除光刻胶是近年新兴起的技术,已经成为国际上研究的热点之一。它不仅可以克服湿化学方法去除光刻胶存在的反应不能精确控制,清洗不彻底,容易引入杂质,污染环境,尤其对高温烘烤过的胶很难去除等缺点,而且可以避免真空等离子体去除光刻胶时高能离子轰击对器件造成的损伤,尤其是它具有成本低的特点。对常压射频冷等离子体去除光刻胶的研究具有重要的学术意义和实用价值。常压射频冷等离子体是指在常压下通过电容耦合的方法使气体电离放电的等离子体源。国际上一般都是采用价格比较高的氦气做为携带气体,而我们则使用价格便宜的多的氩气作为携带气体,并首次成功地实现了放电。通过对氦氧等离子体和氩氧等离子体光刻胶去除的对比实验,发现氩氧等离子体和氦氧等离子体具有相似的去胶速率和效果。本课题研制了常压射频喷枪式冷等离子体和浸入式冷等离子体两种设备,后者的直径为150mm,是目前世界上已报道的能达到的最大放电面积。文章对该等离子体的放电特性和温度特性做了详细的研究。通过控制输入功率、气体组分和极板间距离,得到了大面积均匀稳定的等离子体。温度分布结果表明氩等离子体的温度很低,小于150℃,不会对半导体器件造成热损伤。对以上物理特性的研究表明,常压射频低温冷等离子体满……   
[关键词]:干法刻蚀;射频;冷离子体;光刻胶去除技术
[文献类型]:硕士论文
[文献出处]:四川大学2005年
App内打开