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霍山石斛(Dendrobium huoshanense)离体培养研究

孙廷

  本文首先介绍了石斛药用价值和现状,阐述了国内外在石斛离体培养和快速繁殖方面的研究现状,在此基础上,以珍稀濒危的霍山石斛茎段为试材,进行离体培养和快速繁殖方面的研究和探讨。试验表明,霍山石斛最佳启动培养基是MS+6-BA 2.0 mg·l~(-1)+NAA 0.5 mg·l~(-1),最佳丛生芽继代培养的培养基是MS+6-BA 1.0 mg·l~(-1)+NAA 0.1 mg·l~(-1),增殖系数可达5.11,继代培养的适宜条件是光照2000 lx、温度(20±1)℃。原球茎增殖的最佳培养基是N_6+KT 2.0mg·l~(-1)+NAA 0.1 mg·l~(-1)。原球茎诱导芽最佳培养基是N_6+6-BA 1.0mg·l~(-1)+NAA0.1 mg·l~(-1)。最佳生根培养基是1/2MS+IBA 0.5 mg·l~(-1)。试管苗移栽的最佳基质是小树皮+小兰基石+椰壳粉(1.5:1.5:1),在3、4月份和10月份、遮荫度为70%条件下,移栽成活率可达到80%以上。形成了一套完整的霍山石斛离体培养和快速繁殖技术及途径。……   
[关键词]:霍山石斛;茎段;组织培养;不定芽;原球茎
[文献类型]:硕士论文
[文献出处]:西北农林科技大学2004年