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射频功率晶体管研究

郭本青

  针对高频功率晶体管的特点,提出采用多种技术、方法。综合这些方法研制了DCT260F 功率晶体管。这些方法包括: 1. 为解决可靠性问题,设计出过温保护电路,来取代通用的镇流电阻的做法,在温度上升至140oC,CMOS温度控制电路旁路掉射频功率管的大部分基极电流,电流不再集中,热量扩散,温度下降;当温度下降至87oC 时,CMOS 温度控制电路关闭旁路作用,射频功率晶体管回到正常的工作状态。来实现实时保护的同时又提高了器件高频优值的目的。2. 采用内匹配网络技术,设置输入、输出匹配网络,来保持增益和传输特性的平坦性;提高输出功率,和效率。降低反射系数,减少损耗。最终改善器件的高频特性,利于晶体管整体的功率传输。3. 使用Medici 对晶体管做关键的电学特性模拟,如:特征频率fT、击穿电压BVCBO、直流放大倍数β等;来验证各项设计指标。4. 利用反偏的PN 结做隔离岛,环绕CMOS 温度控制电路,并将其添加到器件内,制作在一个芯片衬底上,绘出完整的晶体管的版图。本文通过对DCT260F 的设计,提出了基于CMOS 温度控制电路的高可靠性、长使用寿命的射频晶体管的新设计思路,并成功完成前期仿真、版图工作,可望在后续工作中完成实用化,最终实现市场推广价值。……   
[关键词]:射频功率晶体管;电流集中;可靠性;施密特触发器;高频增益;S 参量
[文献类型]:硕士论文
[文献出处]:电子科技大学2005年
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