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氮化硅薄膜的螺旋波PECVD及其光学特性研究

侯海虹

  本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWP-CVD)方法制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN_x:H)薄膜,系统地研究了不同反应气体配比对薄膜特性的影响,得到了沉积不同组分a-SiN_x:H的典型实验条件。利用椭偏仪,傅立叶红外吸收谱(FTIR),X射线光电子能谱(XPS)等技术对a-SiN_x:H的结构特性进行了表征与分析,结果表明,采用HWP-CVD技术合理控制实验条件,可得到镶嵌在SiN_x中的纳米Si结构薄膜。在此基础上,通过紫外-可见光谱(UV-VIS)技术,时间分辨光致发光谱技术研究了不同组分的富硅a-SiN_x:H薄膜的光吸收和光辐射特性,得到了材料光致发光衰减和辐射光子能量之间的关系,提出了镶嵌在氮化硅中的纳米硅的发光机制,进而探讨了提高纳米硅薄膜发光效率的有效途径。……   
[关键词]:螺旋波等离子体;氮化硅薄膜;光学特性
[文献类型]:硕士论文
[文献出处]:河北大学2003年