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β-SiC薄膜制备及特性研究

郑志远

  本工作采用激光溅射沉积(PLD)和激光辅助热丝化学气相沉积(HFCVD)两种实验技术制备了SiC薄膜,并对薄膜特性进行了研究。用扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD),拉曼光谱(Raman),高分辨透射电镜(HRTEM),光致发光(PL)等手段,对薄膜形貌,成份,微观结构和薄膜发光特性进行了分析和确定;研究了激光能量,衬底温度等实验参数对SiC薄膜生长的影响,特别是不同沉积温度在薄膜合成中的作用进行了比较系统的研究。在金属诱导一维SiC生长的实验中,我们采用激光溅射铁靶材来获得纳米铁颗粒。纳米铁粒子引入有效得降低了SiC的合成温度,并促使了SiC纳米线的生长。此外,采用HFCVD技术在较低温度下合成了纳米SiC薄膜,并对薄膜进行了的光致发光检测,进一步探讨了样品在室温条件下可见光发射的发光特性。采用HFCVD技术低温氧辅助生长机制合成SiC纳米线,并就SiC纳米线的生长和硅氧化物在SiC纳米线合成中的催化作用进行了分析。……   
[关键词]:热丝化学气相沉积;激光溅射沉积;纳米SiC;SiC纳米线
[文献类型]:硕士论文
[文献出处]:河北大学2002年