硅基光接收集成宽带放大器设计

　　介绍了限制宽带放大器频带宽度的因素,通过分析MOSFET的本征参数、寄生参数对频率特性的影响,提出了采用短沟器件、使MOSFET工作在饱和区、抬高栅源电压等提高MOSFET特征频率的方法;分析了不同电路组态对放大器频率特性的影响、节点电压对电压模电路、电流模电路频率特性的不同影响,根据应用于双极晶体管电路的跨导线性原理,提出了采用MOSFET构成的电流模放大电路、电流传输电路、输出电路以及由它们所组成的宽带放大器,获得了良好的频率响应。该宽带放大器具有很好的应用前景和广阔的市场空间。……