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超大规模集成电路二氧化硅介质层的化学机械抛光技术的研究

连军

  随着集成电路技术的飞速发展,集成度越来越高,特征尺寸越来越小,导致了结构的立体化,布线多层化。这就对内部层与层之间的表面要求更高,尤其是层表面的平整度,而传统的抛光工艺已不能满足这一要求,而化学机械抛光技术不仅能满足这种要求,而且能够减少缺陷,还可以通过提高表面平整度来提高套刻精度,从而达到减小特征尺寸提高集成度的目的。化学机械抛光工艺中应用最广的是层间介质抛光,二氧化硅是最常用的层间介质,因此对它的研究也就成为目前工作的重点。本课题选定二氧化硅介质的化学机械抛光技术为研究方向,针对氧化铈磨料的高速率的特性,采用氧化铈为磨料,通过大量实验,对二氧化硅介质的抛光液的配置进行了深入的研究,通过制备氧化铈胶体抛光液,解决了粉碎性氧化铈磨料容易引起划伤的缺点,并对工艺参数进行了优化调整;对其机理进行了深入探讨;本课题所作的工作必将促进化学机械抛光工艺早日实现规模化应用,推动集成电路工业的发展。……   
[关键词]:超大规模集成电路;化学机械抛光;全局平面化
[文献类型]:硕士论文
[文献出处]:河北工业大学2002年