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碳化硅PMOS器件特性模拟及仿真

郜锦侠

  鉴于CMOS具有十分重要的地位和SiC MOS器件的诱人前景,本文对6H-SiC PMOS器件的基本特性做了较为详细的研究,着重研究了界面态以及源漏寄生电阻对SiC PMOS器件特性的影响。研究了SiC的晶体结构,分析了SiC中杂质的不完全离化现象以及SiC中空穴迁移率的拟和公式;用解一维poisson方程的方法分析了SiC PMOS空间电荷区的电特性;本论文重点分析了界面态分布和源漏串联电阻对SiC PMOS器件特性的影响。提出了一个价带附近的界面态分布模型,用该模型较好地描述了SiC PMOS器件阈值电压随温度的变化关系、C-V特性曲线以及亚阈特性曲线;分析了源漏寄生电阻对SiC PMOS器件输出特性、转移特性以及有效迁移率的影响;论文中用模拟软件Medici模拟了SiC PMOS器件的输出特性和漏击穿特性,分别模拟了室温下和300℃时SiC PMOS器件的输出特性,分析了栅电压、接触电阻、界面态以及其他因素对SiC PMOS击穿特性的影响。以上研究,揭示了SiC PMOSFET中的问题,为进一步的研究奠定了基础。……   
[关键词]:碳化硅PMOS器件;界面态;源漏串联电阻;有效迁移率;漏击穿
[文献类型]:硕士论文
[文献出处]:西安电子科技大学2002年
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