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基于SiC MESFET宽带功率放大器研究

万方文

  现代无线通信技术的发展,对射频功率放大器提出了越来越高的要求,如更宽的带宽,更大的输出功率等。而SiC MESFET的高的饱和电子速度、高的击穿电压、低的输出电容、很高的工作温度以及高的热导率等特点,使得基于它的宽带功率放大器在有源相控阵雷达、卫星通信和电子对抗设备中具有巨大的优势。 本文基于CREE公司的CRF-24060 SiC MESFET设计了一款两级宽带功率放大器。首先给出了功率放大器的基本理论,由于线性度和效率的折中选择了AB类工作模式,详细介绍了宽带匹配的限制条件和扩展带宽的方法,然后给出了这款宽带功率放大器的详细设计过程,给出了整体电路的仿真结果:在500 MHz-2000 MHz的频带内,小信号增益为27dB±1 ,稳定因子K>2.7,功率增益为25.9dB,增益平坦度为,输出功率超过45.9dBm(38.9W),功率附加效率PAE>15%;同时在1500 MHz下功率增益达到26dB,1dB输出功率=46dBm(40W),功率附加效率PAE可以达到36% ,三阶交调系数IMD3=-24dBc,五阶交调系数IMD5=-39dBc。最后给出了整体电路的PCB版图。……   
[关键词]:SiC MESFET;宽带;功率放大器;AB类
[文献类型]:硕士论文
[文献出处]:西安电子科技大学2011年