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PECVD法沉积氮化硅薄膜性质工艺实验研究

张檀威;黄辉;蔡世伟;黄永清;任晓敏

  使用新型HQ-3型等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备在硅片(100)上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜。在实验过程中系统地改变沉积的工艺参数(例如生长温度,射频功率,沉积时间以及反应气体流量比)。对实验所得氮化硅薄膜样品进行厚度和折射率的测试,根据测试结果讨论了上述工艺参数对氮化硅薄膜的性能影响(如生长速率以及折射率),最终通过对工艺参数进行优化获得了性能良好的氮化硅薄膜。……   
[关键词]:PECVD;氮化硅;薄膜;工艺参数
[文献类型]:会议论文
[文献出处]: 《2009年先进光学技术及其应用研讨会论文集(下册)2009年