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Microwave Dielectric Properties and Microstructures of Bi_2O_3- and B_2O_3- and V_2O_5- and B_2CuO_4-doped Sm(Mg_(1/2)Ti_(1/2))O_3 Ceramics

戴國圓;黃泓錡;陳文浚;傅彥培

  本实验掺杂多种助烧结剂于以固态反应法制备的钐镁钛微波介电陶瓷Sm(Mg_(1/2)Ti_(1/2)O_3,并研究对烧结髓的相对密度、相变化、介电常数、频率温度系数(TCF)、品质因数及微观结构性质之影响。尝试分别加入10mol%的Bi_2O_3、B_2O_3、V_2O_5及B_2CuO_4可有效降低陶瓷孔隙率使其致密化,更可大幅下降堍材烧结温度,使之可以顺利导入低温共烧陶瓷制程(Low-Temperature Co-fired Ceramics;LTCC),但会破坏钙钛矿晶髓结构,影起材料微波特性降低。在实验中原料混合粉末以1100℃煅烧2h后研磨,再成形后以1300℃烧结6h。结果显示以添加Bi_2O_3具有最高的密度及Qxf与介电常数,达6.47g/cm~3和26,000GHz及30.19。……