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CMOS电路漏电流模型及优化方法

陈静华;陈迪平;徐勇军;张志敏

  随着工艺的发展,功耗已经成为集成电路设计领域中又一关键性的问题。电源电压的降低和器件尺寸的减小使得漏电流急剧增长,进入100nm以下工艺后,已能与动态功耗相抗衡,因此针对漏电流的分析和优化方法的研究已经成为高性能系统低功耗设计的热点问题。基于对现有最新文献的研究,本文主要综述了CMOS电路漏电流,包括亚阈值漏电流、栅漏电流以及BTBT电流等的产生机制、功耗模型及其主要参数的量化分析,然后给出了从工艺和电路设计两个角度出发的若干种静态电功耗优化方法,期望能给国内低功耗设计方面的研究及技术人员以启迪。……   
[关键词]:CMOS电路;静态漏电流;功耗建模;静态功耗优化
[文献类型]:会议论文
[文献出处]: 《第三届中国测试学术会议论文集2004年
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