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Mg~(2+)离子掺杂对半导体气敏材料Cd_2Sb_2O_(6.8)的改性研究

刘杏芹;高峰

   采用化学共沉淀法对具有缺陷的烧绿石型结构的Cd2Sb2O6.8气敏材料进行了Mg2+离子掺杂.XRD分析结果表明,形成复合氧化物替代固溶体的Mg2+离子的掺杂固溶量范围为1<x<0.2;Mg2+离子的掺入抑制了热处理过程中Cd2Sb2O6.8的晶粒生长,减小了材料的粒径,增加了材料的比表面积;特别是Mg2+离子本身对材料具有催化性能,所以Mg2+离子掺杂,使Cd2Sb2O6.8材料的气敏性能明显改善,不但提高了材料的气体灵敏度(对0.01%的乙醇气体,灵敏度>30),而且大大提高了材料对乙醇的选择性(β0.01%乙醇/β0.1%汽油>6),Mg2+掺杂还大幅度地降低了材料的最佳工作温度(从330℃左右到250℃左右,降低了近80℃);掺杂后,材料对测试气体的响应和恢复时间更短,其长时间稳定性也有所改善.……