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一种简单高效的SiC MESFET寄生参数提取新方法

黄文;国云川;徐跃杭;徐锐敏

  本文提出了一种新的SiC MESFET寄生参数提取方法,所有寄生参数仅需一组单偏置COLD FET反向截止条件下的测量S参数便可提出。文章首先在频带低端(f<5GHz)推导出寄生PAD电容C_(pg)与C_(pd)满足的数学表达式,然后以此为限制条件,构造算法,利用全频带测量S参数,寻找出准确的寄生电容值,最后在频带高端(f>18GHz)提取出寄生电阻和电感参数。由于所需的测试数据少,测试方法简单,因此提取效率高。该方法应用于栅长和栅宽分别为1μm和300μm的SiCMESFET寄生参数提取,使用COLD FET反向截止条件下0.5GHz~20GHz测量S参数为提取依据,COLD FET反向截止条件下Y参数仿真结果与实测数据在0.5GHz~20GHz范围内吻合良好。……   
[关键词]:SiC MESFET;寄生参数;小信号建模
[文献类型]:会议论文
[文献出处]: 《2009年全国微波毫米波会议论文集(下册)2009年