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SOI工艺的静态存储器单粒子翻转试验研究

薛玉雄;田恺;曹洲;刘刚;韩郑生

  文中介绍了SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上硅)工艺的静态存储器(SRAM)结构特点以及单粒子效应失效机理,针对国产SOI静态存储器KW064,利用重离子加速器,进行了抗单粒子翻转能力考核试验研究。试验研究表明,SOI KW064 SRAM器件具有较强的抗单粒子翻转能力,发生单粒子翻转的LET(Linear EnergyTransfer,能量线性传递)阈值在69.82 MeV·cm~2/mg~71.84MeV·cm~2/mg之间。……