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CdZnTe晶体中的结构缺陷

介万奇

  CdZnTe晶体是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的典型代表之一,在光电子技术领域具有重要应用背景。CdZnTe的性能在很大程度上取决于其载流子输运特性,而该特性目前主要受制于材料的结构缺陷。CdZnTe晶体中的主要结构缺陷包括,以Cd空位和Te反位为代表的点缺陷、位错和Te沉淀相。本文将结合作者所在课题组的研究工作,对这些缺陷的结构、分布等结构参数的定量表征和分析方法,缺陷的形成机理,不同缺陷的交互作用与演变,缺陷对电学性能的影响规律,以及缺陷的控制原理及方法等进行分析。同时,期望该研究工作对其它Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,乃至更为广泛的化合物晶体材料的研究有所帮助。……   
[关键词]:CdZnTe;结构缺陷
[文献类型]:会议论文
[文献出处]: 《第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集(第7分册)2010年