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H_2S在SnO_2(110)面吸附特性的第一性原理研究

曾文;刘天模;刘德军;吕城龄

  基于第一性原理密度泛函理论,采用广义密度近似方法,以4层Slab周期结构为模型,计算了H_2S以4种不同方式在SnO_2(110)表面的吸附,研究了H_2S吸附对表面特性的影响。计算结果表明,从吸附能分析,以Sn_(5C),Sn_(6C),O_(3C)和O_(2C)4种位置的H_2S吸附能分别为0.2163、0.7132、0.6356、0.0669eV,H2S倾向于以S端向下在配位Sn_(5C)和O_(2C)位置上吸附。由电子态密度分析表明这两种配位的吸附导致SnO_2(110)面费米能向高能方向偏移,其中吸附在Sn_(5C)位置后,Sn_(5C)原子的电子态密度发生明显改变,在费米能级附近产生了杂质能级,使表面电导发生变化,表明在Sn_(5C)配位吸附是气敏反应表面电导变化的主要原因。……