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In掺杂对CdMnTe晶体性能的影响

张继军;王领航;王涛;曾冬梅;介万奇

  采用垂直 Bridgman 法生长了 In 掺杂 Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te 晶体(CdMnTe:In)和本征的 Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te 晶体(CdMnTe).X 射线粉末衍射、X 射线双晶摇摆曲线和位错密度测试表明,所生长晶体均为立方闪锌矿结构,半峰宽为40~80arc sec,位错密度为10~4~10~5cm~(-2), 结晶质量良好.In 掺杂不影响晶体的结构和结晶质量.电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试表明,CdMnTe:In 晶体的电阻率为1~3×10~9Ω·cm,与 CdMnTe 晶体相比上升了3个数量级.近红外光透过光谱(IR transmission)研究发现 In 掺杂后 CdMnTe 晶体红外透过率降低,在波数范围 4000~1000cm~(-1),CdMnTe 晶体红外透过率为51.2%~ 56.4%,而 CdMnTe:In 的红外透光率为15.4%~21.6%.……