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氧化锌体单晶的助熔剂法生长研究初探

张承乾;陶绪堂;蒋民华

  自1997年报导氧化锌实现了紫外辐射以来,氧化锌成为继6H-SiC和GaN之后,宽禁带半导体光电材料领域的又一研究热点。ZnO具有纤锌矿结构(六方晶系)晶格常数a=0.325nm,c=0.520nm,ZnO与GaN晶体结构相同,晶胞参数相近,比SiC和蓝宝石衬底晶格失配小,是更理想的GaN外延衬底材料。氧化锌室温下禁带宽度为3.4ev,激子结合能高达60meV(比GaN21-25meV高的多),可以同质外延和湿化学处理,具有比GaN更高的抗辐射损伤能力,在蓝光激光器领域,是比GaN更有吸引力的宽禁带半导体材料,最近,Y.RyuandT.S.Lee等[1]称,基于氧化锌的紫外LED将成为下一代氧化物光电子器件。影响氧化锌研究及器件发展的因素主要有两个方面。一是氧化锌p-n结及高质量外延薄膜的制备及能带调节等。另一个方面是高质量、大尺寸氧化锌体单晶体的制备。氧化锌体单晶的制备主要有气相法,高压熔体提拉法,水热法,助熔剂法等。最近我国上海硅酸盐研究所采用高温溶液布里奇曼法生长ZnO单晶也取得了一定进展。本文从氧化锌体单晶制备技术方面评述了当前的国内外研究进展。报导了山东大学采用助熔剂法生长氧化锌体单晶的工作进展,提出了氧化锌单晶生长的可用助熔剂体系及其物相关系,讨论了助熔剂法生长大尺寸ZnO体单晶的可能性和存在的问题。……   
[关键词]:体单晶;助熔剂法;氧化锌;研究初探
[文献类型]:会议论文
[文献出处]: 《第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集2006年