手机知网 App
24小时专家级知识服务
打 开
手机知网|搜索

用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型

孟坚;高珊;陈军宁;柯导明;孙伟锋;时龙兴;徐超

  分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式。对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比。结果表明两者相差仅有5%,这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计。……   
[关键词]:阱区;双扩散MOS晶体管;导通电阻;解析模型
[文献类型]:会议论文
[文献出处]: 《2005年“数字安徽”博士科技论坛论文集2005年
App内打开