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新型磁随机原理型器件问世

吴宵

  中国科学院物理研究所日前研制出一种新型磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件,这种存储器,解决了常规MRAM相对功耗高、存储密度低等瓶颈问题。目前,该器件利用500微安至650微安脉冲极化电流就可以直接驱动存储单元比特层的磁矩翻转进行写操作,并有望进一步优化?……