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信息科技
热电致冷材料研发动向
吴映红
目前,在室温附近使用的热电致冷材料以Bi_2Te_3合金为基体,通过区熔法或粉末冶金法掺杂制备P型和N型半导体,将一个P型臂与一个N型臂用金属板连接起来,便构成半导体致冷器的一个基本单元。单级制冷组件的最大制冷温差约为68℃,由单级组件叠?……
[关键词]:
研发动向
;
热电材料
;
制冷负荷
;
微波放大器
;
半导体量子阱
;
方钴矿
;
笼形结构
;
光电倍增管
;
组件
;
材料制备
[文献类型]:报纸
[文献出处]:
《中国电子报 》2001年03月30日
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