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发展中的沟槽栅MOS器件


  综观MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)发展史,前期因受自身结构与导通电阻大的限制,未能进入功率和开关应用领域。80年代开发出垂直导电型V形槽VVMOS、双扩散VDMOS及DMOS(平面栅MOS结构)技术,才使其从中小功率向大功率扩展,?……