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GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱结构能带的不连续性

张勇;李以柏;吴伯僖;郑健生

  用改进的方势阱模型、半导体统计方法,研究了决定GaAs/Ga_(1-x)Al_xAS量子阱结构中能带不连续的参数Qe与热平衡费米能级的关系,Qe作为一个统计参数,不仅与组分x、阱宽L有关,还与温度有关,计算表明,对不同的x、L值,Qe的数值可在一个相当大的范围内变化,在同样组分下,阱宽越大,Qe越小;在同样阱宽下,组分越高,Qe越小,计算结果与一些实验结果符合得很好。……   
[关键词]:GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs;量子■;能带不连续
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《厦门大学学报(自然科学版)1989年02期