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射频溅射法制备掺杂SnO_2纳米薄膜的研究

曾志峰;于国萍;魏正和;何永华

  采用射频反应溅射法在氧化处理后的单晶硅基片上制备SnO2纳米薄膜,并在薄膜中掺杂Sb和Pd用于改变薄膜的气敏特性.运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的结构和表面形貌进行分析.结果表明,SnO2薄膜具有四方金红石结构,适量掺杂对SnO2薄膜结构无影响;薄膜晶粒粒径小于150nm,且粒径随退火温度的升高而增大.采用Debye Scherrer简化公式计算了薄膜晶粒粒径,分析了计算值与SEM观测值之间产生误差的原因.经700℃的温度退火后,掺原子比Pd为2%和Sb为2%的薄膜对酒精气体具有很高的灵敏度.……   
[关键词]:射频溅射;SnO2纳米薄膜;表面形貌;气敏特性
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《武汉大学学报(理学版)2004年01期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)