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扩镓Si基溅射Ga_2O_3氮化反应生长GaN薄膜

王书运;孙振翠;曹文田;薛成山

  采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3 氮化反应生长GaN薄膜。用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射 (SAED)、光电能谱 (XPS)和荧光光谱 (PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析。XRD、SAED和XPS分析证明 ,采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜。SEM显示薄膜由均匀、结合紧密的纳米微晶粒组成 ,其直径约为50~100nm。PL发光谱显示位于344nm处 ,相对于365nm明显蓝移的带边峰 ,此发光峰应归功于自由载流子的复合……   
[关键词]:射频磁控溅射;Ga2O3薄膜;GaN薄膜;扩镓硅基
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《分析测试学报2004年06期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)