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硝苯地平在聚吡咯膜修饰电极上的电化学行为及电位溶出分析

程发良;吴剑;张敏;汪洪

  提出了在吡咯的聚合过程将硝苯地平掺杂富集进聚吡咯膜中 ,然后在合适的溶液中通过线性扫描将之溶出的分析方法。与空白聚吡咯修饰电极 (PPy-GCE)比较 ,在0.088mol/LH2O2-0.1mol/LH2SO4 底液中 ,以100mV/s的速率进行线性扫描时 ,硝苯地平有一灵敏的线性扫描溶出峰 ,峰电位在 -0.628V(vs.SCE)。峰电流与硝苯地平的浓度在1×10 -8~1×10 -4mol/L范围内有良好的线性关系 ,利用这一峰对硝苯地平片剂的含量进行了测试 ,分析结果令人满意……   
[关键词]:硝苯地平;聚吡咯修饰电极;电位溶出伏安法
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《分析测试学报2004年06期
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