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PECVD低温制备晶化硅薄膜及其机制浅析

余云鹏;林璇英;林舜辉;黄锐

  采用SiCl4/H2 混合气源的等离子体化学气相沉积技术 ,在 30 0℃的玻璃衬底上低温制备出多晶硅薄膜 ,沉积速率大于 3 /s,晶化率达到 60 %.实验中发现氢稀释对膜的生长及晶化起重要的促进作用 ,薄膜晶化率随射频功率增大呈不断下降的趋势 .通过与SiH4/H2沉积结果的对比 ,从基团成份、基团尺寸以及表面反应过程几个方面 ,对晶化硅薄膜低温生长的机制进行初步的探讨……   
[关键词]:薄膜;晶化硅;PECVD;低温生长
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《汕头大学学报(自然科学版)2004年02期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)