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Si(111)表面离子束辅助沉积对类金刚石薄膜结构影响的计算机模拟

郭德成;李双;阎梦泽;赵艳春;李之杰

  本文选C2分子和Ar离子作为沉积源和辅助沉积粒子,采用分子动力学(MD)方法在Si(111)面上模拟研究了离子束辅助沉积(IBAD)类金刚石(DLC)膜的物理过程.重点讨论了C2分子和Ar离子的入射能量及到达比(Ar/C)对平均密度和sp3键含量的影响,并与Si(001)-(2×1)表面生长类金刚石膜的结果进行比较.结果表明,到达比和入射能的改变,对薄膜结构的影响不同;Si(111)面上生长类金刚石膜,薄膜在衬底的附着力更强.……   
[关键词]:类金刚石薄膜;Si(111)面;离子束辅助沉积;分子动力学模拟
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)2009年03期
[格式]:PDF原版; EPUB自适应版(需下载客户端)