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柔性基片上In_2O_3:Sn和ZnO:Al薄膜的制备及其电学和光学特性

陈猛;白雪冬;黄荣芳;闻立时

  利用直流磁控反应溅射钢锡合金靶和锌铝合金靶,在软基片上低温沉积了In2O3:Sn(ITO)和ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜.结果表明,ITO和ZAO薄膜均出现晶格畸变:柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底;尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响实验测得ITO薄膜在60nm厚时获得最低电阻率为4.23×10-4·cm,ZAO薄膜在20nm厚时获得最低电阻率为8.09×10-4·cm.无论ITO或是ZAO,其可见光区的平均透射率均大于75%基于薄膜吸收系数的研究表明,ITO薄膜的光学直接能隙在3.65-4.00eV之间,间接跃迁在2.50—275eV之间ZZAO薄膜的光学直接能隙在3.20—3;60eV之间,间接跃迁在250—2.75eV之间……   
[关键词]:晶格畸变;氧分压;尺度效应;透射率;光学能隙
[文献类型]:期刊
[文献出处]: 《金属学报1999年04期